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题目是这样的：
" o9 l; t2 D+ @0 ^, I0 [0 }* i. w1 N/ v5 }9 ~2 t6 E
. V6 n% I2 S; y6 u1 v5 n% M
在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3; X9 I. C8 `+ N4 l# M: x- ?
1.
9 p; f7 c5 a; a5 \! _8 w' \% d, ~分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。4 C2 _ z+ ^ G6 ^
2.' [0 {% k$ ]. x9 |) m* H" {3 {
如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
9 [+ d! e% M) e0 x' |; c4 X3 Z3.
; `' K2 Y2 ]! n如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。% s7 J H* ]5 U- b; m- @6 v
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv1 `. i( C% i% l+ [1 q s
硅材料 Nc＝2.8*1019% \8 ]/ P, |4 r, o- s1 t9 l
Nv＝1.04*1019
- N+ `# |' R H- se＝1.6*10－19C
% p: p& |9 B8 Z2 F. i4 `KB＝1.38*10－23J/K
' V$ ]3 t5 e+ g I7 w( J. D/ A! ?- l. ^- a2 Z
: m' l, D; r0 r+ n% x0 \
, l6 A0 z" [' h) Z2 Z ( {# v+ @+ M7 T* u( i8 _
好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。 |
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发表于 2008-3-25 21:40:07
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